东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化

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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。

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类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品。然而，预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用，因此东芝发布了业界首款2200V产品。

MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，与典型的硅（Si）IGBT相比降低了约90%[4]。这些特性均有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗，用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路，有助于设备的小型化。

东芝将不断创新，持续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。

 应用：
工业设备
- 可再生能源发电系统（光伏发电系统等）
- 储能系统
- 工业设备用电机控制设备
- 高频DC-DC转换器等设备

 特性：
- 低漏极-源极导通电压（传感器）：
VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）
- 低开通损耗：
Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）
- 低关断损耗：
Eoff＝11mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）
- 低寄生电感：
LsPN＝12nH（典型值）

 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号

MG250YD2YMS3

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